收藏本站
NTMFS4823N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1400
1200
1000
800
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
8
6
QT
V GS
600
400
C oss
4
Q gs
Q gd
200
0
0
C rss
5
10
15
20
25
30
2
0
0
2
4
6
8
10
I D = 30 A
T J = 25 ° C
12
14
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t r
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
R q JA = 22 ° C/W
Single Pulse
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
30
25
20
I D = 24 A
1 T C = 25 ° C
15
0.1
Surface ? mounted on FR4 board
using 1 in sq. pad size, 1 oz Cu, t < 10 s
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
10
5
0.01
0.1
1
Package Limit
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4825NFET3G MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
NTMFS4833NST1G MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
NTMFS4833NT3G MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
NTMFS4834NT3G MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
NTMFS4836NT1G MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FL
NTMFS4837NT1G MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL
NTMFS4839NT3G MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
NTMFS4841NT3G MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4825NFET1G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4825NFET3G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4826NET1G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4826NET3G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4827NET1G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4827NET3G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4833N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FL
NTMFS4833NAT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM